英特尔跃升至10nm工艺，将在7nm工艺时放弃硅

[jsgayo]

在这一周的2015 ISSCC（国际固态电路会议）上，英特尔将展示新的10nm制造工艺，以及进一步关于它如何保持摩尔定律在7nm及7nm以下的继续前进的研究。基于10nm工艺的第一块芯片预计将于2016后半年或2017前半年生产，这家公司表示他们希望可以避免像14nm工艺Broadwell处理器那样的反复无常的生产计划推迟。为了达到7nm工艺，英特尔表示需要新的材料——看起来10nm工艺将成为硅基芯片的终点。最有可能替代硅的材料是 III-V 族半导体，比如铟镓砷化物（InGaAs），英特尔尚未提供任何明确的关于这种新材料的细节。

本周于旧金山召开的ISSCC 2015 是一场世界各地芯片制造产业高级玩家（如英特尔，三星，台积电，IBM）的聚会，在这里他们谈论最先进制造工艺，以及他们如何克服当前的障碍去制作更小，更快，集成度更高的芯片。英特尔在这场会议上拥有最大的存在感是一个惯例，今年当然也不例外：英特尔将展示有关三篇它的14nm技术的论文（BTW，大陆今年貌似一篇都没中），主持各种主题的会场，以及 Mark Bohr，这位英特尔最受人尊敬的研究员，将参与一个座谈会，其主题为10nm后的摩尔定律。

在上周的电话会议上，英特尔向记者透漏了ISSCC上的看点，一些关于它即将到来的10nm工艺的补充和工艺尺寸缩减至7nm的艰难。在这场电话会议中，英特尔声明Broadwell芯片的推迟是因为14nm工艺中不可预见的制造复杂性。但是英特尔表示他们希望在10nm工艺处避免相同的跳票，即使10nm工艺要比14nm工艺需要更繁琐的制造流程。

比10nm工艺更加令人感兴趣的是英特尔打算为了它的7nm工艺抛弃硅基FinFET技术。尽管英特尔没有提供任何细节，我们强烈的怀疑我们正在见证基于III-V族半导体材料的晶体管的到来。III-V族半导体拥有比硅更高的电子迁移率，这意味着这些半导体可以被制造成更小而且更快（比如更高的开关速度）的晶体管。在这次电话会议中，远紫外线光刻（EUV）的话题也被提及，但是由于持续不断的EUV部署的问题，听起来英特尔打算在10nm和7nm工艺中均不使用它。
因为其他的限制因素，比如散热，功耗和形状系数，英特尔同时在研制新的封装：2.5D封装中，分离的晶片并排摆放在中介层上，以及在3D封装中，每一块晶片直接叠在其他晶片的上面。2.5D和3D封装都对减少功耗大有裨益，3D封装技术将应用在移动可穿戴设备上。

英特尔希望10nm工艺可以继续将摩尔定律带到下一个节点同时继续降低晶体管的价格——换句话说，我们将继续看到在芯片消耗更少的能量的同时还可以将更多的特性集成到一个单独的晶片上。在7nm工艺中芯片可能放弃使用硅这一消息更加令人激动。由 III-V 族半导体制造的晶体管可以在拥有更高开关速度的同时消耗更少的能量。这些技术单独拿出来可能无法让整个世界为之一变，但是一个使用了7nm晶片的3D堆栈……现在我们可以谈一谈了。

转自：译言网